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Artigo de periodico
The inﬂuence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped 'IN' IND. x' 'GA' IND. 1'−'ANTIND.x 'AS' quantum dots (2012)
Maia, A D B; Aquino, V M de; Dias, I F L; Silva, E C F da; Quivy, A A; Bindilatti, V
Source: JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
MAIA, A D B et al. The inﬂuence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped 'IN' IND. x' 'GA' IND. 1'−'ANTIND.x 'AS' quantum dots. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, v. 45, p. 225104, 2012Tradução . . Disponível em: http://iopscience.iop.org/0022-3727/45/22/225104/pdf/0022-3727_45_22_225104.pdf. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Maia, A. D. B., Aquino, V. M. de, Dias, I. F. L., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Bindilatti, V. (2012). The inﬂuence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped 'IN' IND. x' 'GA' IND. 1'−'ANTIND.x 'AS' quantum dots. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, 45, 225104. Recuperado de http://iopscience.iop.org/0022-3727/45/22/225104/pdf/0022-3727_45_22_225104.pdf
NLM
Maia ADB, Aquino VM de, Dias IFL, Silva ECF da, Quivy AA, Bindilatti V. The inﬂuence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped 'IN' IND. x' 'GA' IND. 1'−'ANTIND.x 'AS' quantum dots [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. 2012 ;45 225104.[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://iopscience.iop.org/0022-3727/45/22/225104/pdf/0022-3727_45_22_225104.pdf
Vancouver
Maia ADB, Aquino VM de, Dias IFL, Silva ECF da, Quivy AA, Bindilatti V. The inﬂuence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped 'IN' IND. x' 'GA' IND. 1'−'ANTIND.x 'AS' quantum dots [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS. 2012 ;45 225104.[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://iopscience.iop.org/0022-3727/45/22/225104/pdf/0022-3727_45_22_225104.pdf
Trabalho de evento-resumo
Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells (2011)
Morais, R R O; Dias, I F L; Duarte, J L; Laureto, E; Silva, M A T da; Lourenço, S A; Silva, E C F da; Quivy, A A; Cezar, D F
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
MORAIS, R R O et al. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Morais, R. R. O., Dias, I. F. L., Duarte, J. L., Laureto, E., Silva, M. A. T. da, Lourenço, S. A., et al. (2011). Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
NLM
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Vancouver
Morais RRO, Dias IFL, Duarte JL, Laureto E, Silva MAT da, Lourenço SA, Silva ECF da, Quivy AA, Cezar DF. Effects of confinement on the electron-phonon interaction in 'AL'IND. 0,18' 'GA'IND. 0,82''AS'/'GA''AS' quantum wells [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3380-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well (2011)
Cavalcante, J S; Silva, E C F da; Bassetto Jr, C A Z; Oliveira, J B B de; Tabata, A
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
CAVALCANTE, J S et al. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Cavalcante, J. S., Silva, E. C. F. da, Bassetto Jr, C. A. Z., Oliveira, J. B. B. de, & Tabata, A. (2011). Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf
NLM
Cavalcante JS, Silva ECF da, Bassetto Jr CAZ, Oliveira JBB de, Tabata A. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf
Vancouver
Cavalcante JS, Silva ECF da, Bassetto Jr CAZ, Oliveira JBB de, Tabata A. Growth temperature dependent on the optical properties of 'GA''IN''AS'N/'GA''AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R1381-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well (2011)
Tabata, A; Basseto Jr, C A Z; Cavalcante, J S; Oliveira, J B B; Silva, E C F da; Gusev, G M; Lamas, T E
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
TABATA, A et al. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Tabata, A., Basseto Jr, C. A. Z., Cavalcante, J. S., Oliveira, J. B. B., Silva, E. C. F. da, Gusev, G. M., & Lamas, T. E. (2011). Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
NLM
Tabata A, Basseto Jr CAZ, Cavalcante JS, Oliveira JBB, Silva ECF da, Gusev GM, Lamas TE. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
Vancouver
Tabata A, Basseto Jr CAZ, Cavalcante JS, Oliveira JBB, Silva ECF da, Gusev GM, Lamas TE. Indirect optical transitions from carriers trapped on the delta doping and on the parabolic quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0025-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Studies of strain relaxation on diluted nitride 'IN''GA''AS'N/'GA'AS' single quantum well (2011)
Bassetto Jr, C A Z; Cavalcante, J S; Oliveira, J B B de; Tabata, A; Silva, E C F da
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
BASSETTO JR, C A Z et al. Studies of strain relaxation on diluted nitride 'IN''GA''AS'N/'GA'AS' single quantum well. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2350-1.pdf. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Bassetto Jr, C. A. Z., Cavalcante, J. S., Oliveira, J. B. B. de, Tabata, A., & Silva, E. C. F. da. (2011). Studies of strain relaxation on diluted nitride 'IN''GA''AS'N/'GA'AS' single quantum well. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2350-1.pdf
NLM
Bassetto Jr CAZ, Cavalcante JS, Oliveira JBB de, Tabata A, Silva ECF da. Studies of strain relaxation on diluted nitride 'IN''GA''AS'N/'GA'AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2350-1.pdf
Vancouver
Bassetto Jr CAZ, Cavalcante JS, Oliveira JBB de, Tabata A, Silva ECF da. Studies of strain relaxation on diluted nitride 'IN''GA''AS'N/'GA'AS' single quantum well [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2350-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
High-efficiency infrared photodetectors based on quantum wells grown by molecular-beam epitaxy (2011)
Fernandes, F M; Maia, A D B; Ferreira, D T; Silva, E C F da; Quivy, A A
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FOTODETECTORES
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ABNT
FERNANDES, F M et al. High-efficiency infrared photodetectors based on quantum wells grown by molecular-beam epitaxy. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0026-1.pdf. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Fernandes, F. M., Maia, A. D. B., Ferreira, D. T., Silva, E. C. F. da, & Quivy, A. A. (2011). High-efficiency infrared photodetectors based on quantum wells grown by molecular-beam epitaxy. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0026-1.pdf
NLM
Fernandes FM, Maia ADB, Ferreira DT, Silva ECF da, Quivy AA. High-efficiency infrared photodetectors based on quantum wells grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0026-1.pdf
Vancouver
Fernandes FM, Maia ADB, Ferreira DT, Silva ECF da, Quivy AA. High-efficiency infrared photodetectors based on quantum wells grown by molecular-beam epitaxy [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0026-1.pdf
Artigo de periodico
Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates (2005)
Martini, S; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Silva, E C F da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S et al. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates. Physical Review B, v. 72, n. 15, p. 153304/01-153304/04, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Silva, E. C. F. da. (2005). Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates. Physical Review B, 72( 15), 153304/01-153304/04. doi:10.1103/physrevb.72.153304
NLM
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva ECF da. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 15): 153304/01-153304/04.[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Lamas TE, Silva ECF da. Real-time RHEED investigation of indium segregation in InGaAs layers grown on vicinal GaAs (001) substrates [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 15): 153304/01-153304/04.[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.153304
Trabalho de evento-resumo
Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots (2005)
Pagnossin, I R; Silva, E C F da; Quivy, A. A.; Martini, S; Sergio, C. S
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, POÇOS QUÂNTICOS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAGNOSSIN, I R et al. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Pagnossin, I. R., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Martini, S., & Sergio, C. S. (2005). Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
NLM
Pagnossin IR, Silva ECF da, Quivy AA, Martini S, Sergio CS. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
Vancouver
Pagnossin IR, Silva ECF da, Quivy AA, Martini S, Sergio CS. Scattering processes on a quasi-two-dimensional electron gas in GaAs/InGaAs selectively doped quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0945-1.pdf
Artigo de periodico
Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction (2003)
Martini, S; Quivy, A. A.; Silva, M J da; Lamas, T E; Silva, E C F da; Leite, J. R.; Abramof, E
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINI, S et al. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1621738. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Silva, M. J. da, Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, Leite, J. R., & Abramof, E. (2003). Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics. doi:10.1063/1.1621738
NLM
Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Silva MJ da, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR, Abramof E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction [Internet]. Journal of Applied Physics. 2003 ;[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1621738
Artigo de periodico
Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs (1998)
Sipahi, Guilherme Matos; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Silva, E C F da; Levine, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, v. 57, n. 15, p. 9168-9178, 1998Tradução . . Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Sipahi, G. M., Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Silva, E. C. F. da, & Levine, A. (1998). Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B, 57( 15), 9168-9178.
NLM
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 maio 16 ]
Vancouver
Sipahi GM, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva ECF da, Levine A. Theory of luminescence spectra 'delta'-doping structures: application to GaAs. Physical Review B. 1998 ; 57( 15): 9168-9178.[citado 2024 maio 16 ]
Artigo de periodico
Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers (1998)
Levine, A; Silva, E C F da; Scolfaro, L M R; Beliaev, D; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A et al. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, v. 23, n. 2, p. 301-306, 1998Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Scolfaro, L. M. R., Beliaev, D., Quivy, A. A., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers. Superlattices and Microstructures, 23( 2), 301-306. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
NLM
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Scolfaro LMR, Beliaev D, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR. Spatially direct recombinations observed in multiple 'delta'-doped GaAs layers [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1998 ; 23( 2): 301-306.[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/67d287aa-b1d5-4f32-b25b-33bb9ed40ccd/1-s2.0-S0749603696999929-main.pdf

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